| 品牌：KF | 型号：SI2300 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：DC/直流 |
| 封装外形：CHIP/小型片状 | 材料：N-FET硅N沟道 | 是否跨境货源：否 |
| 货号：17+ | 批号：17+ | 封装：SOT23 |
深圳市硕实科技供应原装科范SI2300(00A8C)30V N沟道MOSFET（D-S）
产品概述：VDS (V)：30V
RDS(on) (Ω):0.068 at VGS = 4.5 V ID (A):3.6a Qg (Typ.):3 nC
RDS(on) (Ω):0.085 at VGS = 2.5 V ID (A):3.4 Qg (Typ.):3 nC
额定值TA = 25°C，除非另有说明:
漏源电压:30V
栅源电压:± 12V
连续漏电流（TJ = 150°C）: TC = 25 °C 3.6a A
TC = 70 °C 3.0 A
TA = 25 °C 3.1b, c A
TA = 70 °C 2.5b, c A
脉冲漏极电流:15A
连续源Drain Diode Current: TC = 25 °C 1.4 A
TA = 25 °C 0.9b, c A
功率耗散 : TC = 25 °C 1.7W
TC = 70 °C 1.1W
TA = 70 °C 0.7b, c W
工作结和储存温度范围:- 55 to 150°C
焊接建议（峰值温度）d，E:260°C
特征：
1》卤根据IEC 61249-2-21自由定义
2》?TrenchFET功率MOSFET
3》*** RG测试
4》符合RoHS指令2002/95／欧共体
应用：
1》便携式设备的DC / DC转换器
2》负荷开
