| 品牌：HOSEMI | 型号：HS20N03 | 种类：绝缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：DC/直流 |
| 封装外形：CHIP/小型片状 | 材料：N-FET硅N沟道 | 是否跨境货源：否 |
| 货号：18+ | 批号：18+ | 封装：SOT89/TO252 |
硕实科技原装供应HOMSEMI全系MOSFET
特征:
1>环境操作温度：175°C
2>低漏极和低导通电阻
3>逻辑电平
4>完善的栅极电荷×RDS（ON）的产品
5>***的热阻
6>额定雪崩
7>***的dv / dt
8>快换降压型转换器
额定值（TJ = 25°C，除非另有规定））
参数符号评分单位
漏源电压VDSS 30 V
栅源电压VGS±20 V
连续漏极电流（TC＝25°C）id 30 A
脉冲漏极电流（TC = 25°IDM 120 C）
单脉冲（注3）EAS 15 MJ雪崩能量重复（注2）耳6兆焦耳
峰值二极管恢复dv/dt（注4）的dv / dt的6 kV /μS
功耗（TC = 25°C）PD 60 W
结温TJ+ 175°C
存储温度容许55 ~ + 175°C
HS20N03D分两种封装 SOT89和TO252封装可供应 如有需求可致电:83040406郭/S 林/R
